中外企业竞逐存储赛道
- 来源：
- 2026-08-05
8月4日，SK海力士对外宣布，联手闪迪（Sandisk）共同发布下一代存储技术高带宽闪存（High Bandwidth Flash 简称：HBF）的首个标准规范。
此次发布正值“闪存峰会2026”（简称“FMS 2026”）在美国加利福尼亚州举行。SK海力士计划在峰会期间发表主题演讲，介绍HBF作为破解AI时代内存瓶颈的关键技术。
与此同时，长鑫科技等中国企业也正在积极推进新一代低功耗双倍数据速率内存标准产品落地，在DRAM赛道上奋起直追。
HBF是介于HBM（高带宽内存）和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。
此次发布的标准规范是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。
值得关注的是，HBF与处理器之间采用行业标准UCIe互联（一种用于不同半导体芯粒之间高速互联的开放式标准接口规范），为HBF与GPU、CPU等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。
SK海力士计划以此标准发布为契机，加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，谷歌与Tenstorrent已加入HBF联盟。
存储芯片是数字经济时代的核心芯片之一，在存储芯片领域，最为熟知的包括DRAM（含HBM）这类易失性存储器和NAND 闪存这类基于Flash存储技术的非易失性存储器。LPDDR、DDR4/DDR5/DDR6，都属于DRAM 范畴，此次亮相的HBF则属于闪存范畴。
总部位于韩国的SK海力士是一家全球领先的半导体供应商，提供DRAM和NAND Flash等半导体产品。
近日在A股上市的长鑫科技主攻DRAM赛道，是国内最大且唯一一家能够制造DDR5、LPDDR5和LPDDR5X芯片的厂商。
LPDDR相当于电子设备的“核心系统内存”，LPDDR6是全球半导体标准化组织——联合电子设备工程委员会固态技术协会于2025年7月发布的第六代低功耗双倍数据速率内存标准，属于面向移动设备和人工智能应用的通用类内存规格，相关技术参数较上一代产品有明显优化提升。目前，SK海力士、三星已公开了不同制程工艺的LPDDR6产品。
随着长鑫科技的进步，也意味着在全球LPDDR6的新兴赛道上，将迎来更多的竞逐者。
- 上一篇:“深圳造”量子计算机“卖全球”
- 下一篇:很抱歉，没有下一篇了
